省部共建国重室孙文红教授团队在紫外光电器性能研究方面取得新成果

2024年04月03日 08:36  点击:[]

近日,物理科学与工程技术学院孙文红团队在著名学术期刊《Journal of Alloys and Compounds》上发表了题为"Multilayered BCST/PZT Thin Films on GaN Substrate for Ultraviolet Photodetector Applications"的研究论文。

在光检测领域,铁电/半导体异质结构引起了越来越多的关注,这是因为铁电极化引起的界面电荷耦合。在这项研究中,我们利用溶胶-凝胶生长方法在(0001)GaN/c-蓝宝石衬底上制备了由Ba0.86Ca0.14Ti0.9Sn0.1O3和PbZr0.52Ti0.48O3交替层组成的薄膜,简称为BCST/PZT。我们的目标是研究这些薄膜对铁电/GaN异质结光电特性的影响。研究结果显示,BCST/PZT多层薄膜具有改善的铁电特性。此外,在1 V至3 V偏压范围内,多层结构的光电性能明显优于单独的BCST/GaN或PZT/GaN结构。值得注意的是,多层薄膜/GaN器件在1 V偏压下表现出121.4 mA/W的响应度和1.44×1011Jones的探测度。研究发现表明,铁电材料中存在的去极化电场可以有效地与p-n结中的内建场和其他内部场相互作用,从而实现高性能光电探测器的实现。该研究提出了一种可靠的策略,用于开发高性能的铁电/GaN光电探测器。

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